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[单选题]测量介质损耗因数，通常不能发现的设备绝缘缺陷是()。
A.整体受潮；
B.整体劣化；
C.小体积试品的局部缺陷；
D.大体积试品的局部缺陷。
[多选题]测量介质损耗因数，通常能发现的设备绝缘缺陷是()。
A.整体受潮
B.整体劣化
C.小体积试品的局部缺陷
D.大体积试品的局部缺陷
[判断题]现场用电桥测量介质损耗因数,出现-tanS的主要原因.①标准电容器CN有损耗,且 tan6N>tan6x;②电场干扰;③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的 影响;④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响
A.正确
B.错误
[单选题]现场用西林电桥测量设备绝缘的介质损耗因数，出现试验电源与干扰电源不同步，电桥测量无法平衡时，应采用的正确方法是( )。
A.桥体加反干扰源
B.将试验电源移相或选相、倒相
C.改用与干扰源同步的电源作试验电源
D.将电桥移位，远离干扰源
[多选题]下列属于电容型设备介质损耗因数测量方法的是(____)。
A.谐波分析法
B.过零比较法
C.正弦波参数法
D.相对比较法
[简答题]变压器套管在测量电容量和介质损耗因数时应注意些什么?
[单选题]在有强电场干扰的现场，测量试品介质损耗因数tgδ，有多种抗干扰测量方法，并各有一定的局限性，但下列项目( )的说法是错的
A.选相倒相法：正、反相测得值的差别较大，有时可达±50%及以上
B.外加反干扰电源补偿法：补偿电源与干扰信号间的相位有不确定性
C.变频测量方法：测量的稳定性、重复性及准确性较差
D.“过零比较”检测方法：测量结果的分散性稍大
[简答题]为什么测量110kV及以上高压电容型套管的介质损耗因数时,套管的放置位置不同, 往往测量结果有较大的差别?
[判断题]测量110kV及以上高压电容型套管的介质损耗因数时，套管的放置位置不同，往往测量结果有较大的差别。
A.正确
B.错误
[单选题]电容量和介损试验所选用试验仪器介质损耗因数测量范围为(____)。
A.0-0.001
B.0-0.01
C.0-0.1
D.0-1
[判断题]测量35kV站用变绕组介质损耗因数，20℃时不大于产品出厂值的130％。
A.正确
B.错误
[简答题]根据GB 50150-2016,交接试验时,测量糊合电容器、断路器电容器的介质损耗因数 应符合哪些规定?
[单选题] 本小题 0.5 分
介损电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用(____)接线较好。
A. 正接线
B. 反接线
C. 对角接线
D. 屏蔽接线
[判断题]套管在逐个绝缘试验前和试验后应进行介质损耗因数(tan6)和电容量的测量以校验 是否出现了损伤,最后一次tan6测量前应进行局部放电量测量最后一次tan6测量前应进行 局部放电量测量
A.正确
B.错误
[单选题]采用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介质损耗因数tgδ时，其值主要是反映一次（ ）对二、三次绕组的绝缘状态。
A.全部绕组
B.1/2绕组
C.1/4绕组
D.中间任意一段
